MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K IC
,IC DRAM de 2 Go
,MT41K128M16JT-125 AAT : K
MT41K128M16JT-125 AAT:K
Description du produit:
• VDD = VDDQ = 1,35 V (1,283 ∼1,45 V) • Compatible avec VDD = VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V • Différentiel bidirectionnel de stroboscope de données • Architecture de précompression 8n-bit • Entrées d'horloge différentielle (CK,CK#) • 8 banques internes • Termination nominale et dynamique des données (ODT), stroboscope, and mask signals • Programmable CAS (READ) latency (CL) • Programmable posted CAS additive latency (AL) • Programmable CAS (WRITE) latency (CWL) • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS]) • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF) • Self refresh mode • Refresh maximum interval time at TC temperature range – 64ms at –40°C to +85°C – 32ms at +85°C to +105°C – 16ms at +105°C to +115°C – 8ms at +115°C to +125°C • Self refresh temperature (SRT) • Automatic self refresh (ASR) • Write leveling • Multipurpose register • Output driver calibration • AEC-Q100 • PPAP submission • 8D response time
Paramètres technologiques:
| Attributs du produit | Valeur de l'attribut |
| Nom du fabricant: | Technologie des microns |
| Type de produit: | Mémoire à accès aléatoire dynamique |
| Le type: | SDRAM - DDR3L |
| Mode d'installation: | DSM/SMT |
| Emballage ou boîte: | Le numéro d'immatriculation |
| Largeur du bus de données: | 16 bits |
| Organisation du projet | 128 M x 16 |
| Capacité de stockage | 2 Gbit |
| Fréquence maximale d'horloge: | 800 MHz |
| Temps d'accès: | 130,75 ns |
| Voltage de l'alimentation - maximum: | 1.45 V |
| Voltage d'alimentation électrique - minimum: | 1.283 V |
| Courant d'alimentation - valeur maximale: | 65 mA |
| Température de fonctionnement minimale: | - Quarante degrés. |
| Température de fonctionnement maximale: | + 105 C |
| Série: | Résultats de l'enquête |
| Emballage: | Le rouleau |
| Emballage: | Couper la bande |
| Emballage: | MouseReel |
| Marque déposée: | Des microns |
| Sensibilité à l'humidité: | - Oui, oui. |
| Type de produit: | DRAM |
| Quantité dans l'emballage d'usine: | 2000 |
| Subcatégorie: | Mémoire et stockage de données |
| Poids unitaire: | 510 mg ou moins |
Service à la clientèle:
1Vous soutiendrez les listes de BOM?
Bien sûr, nous avons une équipe professionnelle pour fournir le BOM.
2Je vous montre ci-dessous, derrière le MOQ.
Notre MOQ est flexible et peut être fourni selon vos besoins, avec un minimum de 10 pièces.
3Et le délai de livraison?
Après avoir reçu le dépôt, nous organiserons l'emballage des marchandises et contacterons la logistique pour la livraison.
4Notre avantage?
1- Des approvisionnements stables et suffisants
2. Prix compétitifs
3Une riche expérience en BOM
4Un service après-vente parfait.
5. Certificat d'examen professionnel
5Notre service?
Méthodes de paiement: T/T, L/C, D/P, D/A, MoneyGram, carte de crédit, paypal, Western Union, espèces, dépôt, Alipay...
6- Pour le transport:
DHL, TNT, FedEx, EMS, DEPX, transport aérien et maritime
Photos du produit:
MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 : PAIR 96FBGA DE LA DRACHME 4GBIT DE P IC
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ : UN PAIR 48TSOP I DE L'INSTANTANÉ 128GBIT D'IC
MT40A1G16KD-062E : PARALLÈLE 96FBGA DE LA DRACHME 16GBIT D'E IC
ÉCLAIR 128MBIT SPI 133MHZ 8SO DE MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC
MT29F1G01ABAFDWB-IT : ÉCLAIR 1GBIT SPI 8UPDFN DE F IC
MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA Pour les appareils électroniques à commande électronique
MT25QU128ABA1EW9-0SIT
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
|
|
MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA |
SDRAM - DDR3 memory IC 2Gb parallel 1.066 GHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
|
|
|
|
MT41K256M16TW-107 : PAIR 96FBGA DE LA DRACHME 4GBIT DE P IC |
SDRAM - DDR3L memory IC 4Gb parallel 933 MHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
|
|
|
|
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ : UN PAIR 48TSOP I DE L'INSTANTANÉ 128GBIT D'IC |
Flash memory - NAND memory IC 128Gb parallel 48-TSOP I
|
|
|
|
MT40A1G16KD-062E : PARALLÈLE 96FBGA DE LA DRACHME 16GBIT D'E IC |
SDRAM - DDR4 memory IC 16Gb parallel 1.6 GHz 19 ns 96-FBGA (9x13)
|
|
|
|
ÉCLAIR 128MBIT SPI 133MHZ 8SO DE MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC |
FLASH - NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-SO
|
|
|
|
MT29F1G01ABAFDWB-IT : ÉCLAIR 1GBIT SPI 8UPDFN DE F IC |
Flash memory - NAND memory IC 1Gb SPI 8-UPDFN (8x6) (MLP8)
|
|
|
|
MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA Pour les appareils électroniques à commande électronique |
FLASH - NOR Memory IC 2Gb SPI 133 MHz 24-T-PBGA (6x8)
|
|
|
|
MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
FLASH NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-WPDFN（8x6）（MLP8）
|